设计用于高频应用的 PCB 需要从根本上改变传统的电路设计方法。当信号波长接近PCB特征的尺度时,每条走线都像传输线一样,每条过孔都会引入阻抗不连续性,电磁场主导电路行为。要实现可靠的性能,需要严格应用电磁理论、精确的阻抗控制以及对寄生效应的系统管理。
28 GHz 的 5G 网络、77 GHz 的汽车雷达和 100 GHz 以上的卫星通信等现代系统突破了 HF PCB 技术的极限。这些设计必须考虑趋肤效应、介电损耗、表面粗糙度和电磁耦合,这些现象在低频下可以忽略不计,但在微波和毫米波范围内至关重要。本指南提供了实用的工程原理和经过验证的技术,用于创建满足高级应用严格要求的高性能射频电路。
高频PCB设计的基本概念
走线何时成为传输线?
当电长度超过信号波长的λ/10时,就会发生从集总元件到分布式行为的转变。这个临界阈值决定了输电线路设计何时成为强制性的。
PCB基板中的波长计算:
λ = c / (f × √εr)
哪里:
- c = 光速 (3×10⁸ m/s)
- f = 频率 (Hz)
- εr = 相对介电常数
对于FR4中的5 GHz信号(εr = 4.4): λ = 3×10⁸ / (5×10⁹ × √4.4) = 28.6mm
临界长度 = λ/10 = 2.86mm
任何长度超过 2.86mm 的走线都需要 5 GHz 的传输线设计。
了解传播延迟和信号完整性
信号传播速度直接影响高频电路中的时序、相位关系和信号完整性:
传播延迟计算:
TPD = 85 × √εr PS/英寸
对于罗杰斯RO4003C (εr = 3.38): TPD = 85 × √3.38 = 156 PS/英寸
这种传播延迟会影响:
- 高速数字系统中的时钟分配
- 差分对中的相位匹配
- 滤波器网络中的时延
- 天线阵列波束控制
上升时间和带宽关系:
上升时间和带宽之间的关系决定了频率内容:
BW = 0.35 / tr
35ps的上升时间信号包含高达10 GHz的频率分量,即使在"数字"设计中也需要仔细注意传输线效应。
输电线路设计与实施
微带设计优化
微带是射频 PCB 最常见的传输线结构,易于组件安装和测试。然而,要实现最佳性能,需要仔细考虑多个参数。
特性阻抗精度:
微带阻抗的准确计算必须考虑:
- 有效介电常数,包括空气接口
- 导体厚度对电流分布的影响
- 与频率相关的介电特性
- 制造公差叠加
对于RO4350B上的50Ω微带(h=0.508mm,εr=3.48):
使用改进的惠勒方程: Z₀ = (87/√(εr+1.41)) × ln(5.98h/(0.8w+t))
计算宽度:w = 1.11mm 制造公差:±0.025mm 产生的阻抗范围:49.2Ω至50.8Ω
色散和频率效应:
由于电介质不均匀(基板下方,空气上方),微带线表现出与频率相关的行为:
1 GHz 时:εeff = 2.65 10 GHz时:εeff = 2.71 30 GHz 时:εeff = 2.78
这种色散会导致:
- 与频率相关的阻抗变化
- 相位速度随频率变化
- 宽带应用中的脉冲失真
设计缓解策略包括使用薄基板(h < λ/20)来最大限度地减少色散,选择低Dk材料来降低基板-空气介电对比度,以及在受控环境中实施带有薄覆盖层的覆盖微带。
带状线实施可实现卓越的隔离
带状线配置将信号导体嵌入两个接地层之间,提供卓越的隔离和一致的阻抗。
高频设计优势:
- 完整的电磁屏蔽
- 无辐射损失
- 与频率无关的传播
- 电路之间的出色隔离
居中带状线的设计方程:
Z₀ = (60/√εr) × ln(4b/πw)
哪里:
- b = 接地层间距
- w = 走线宽度
- εr = dielectric constant
不对称带状线注意事项:
当走线偏离中心时:
Z₀ = Z₀(居中)× [1 - (2h₁-b)²/b²]
此偏移导致:
- Impedance reduction up to 15%
- 不连续处的模式转换
- 增加与相邻走线的耦合
用于毫米波应用的共面波导
共面波导 (CPW) 在 20 GHz 以上的频率下表现出色,为毫米波电路提供了独特的优势。
CPW Design Parameters:
特性阻抗取决于:
- 中心导体宽度(w)
- 对地间隙 (g)
- 基材厚度(h)
- Substrate dielectric constant (εr)
对于 0.254mm RO3003 上的 50Ω CPW (εr=3.0):
- 宽 = 0.5 毫米
- 克 = 0.3 毫米
- 有效εr = 2.1(显着的空气贡献)
高频设计的好处:
- 易于安装分流组件
- 接地连接无过孔电感
- 比微带带更低的分散性
- 兼容倒装芯片安装
用于RF性能的层叠层架构
优化混合信号射频系统的叠层
现代射频系统结合了高频模拟、高速数字和电源电路,需要仔细的叠层规划:
6 层通用射频叠层:
图层 | 功能 | 材料 | 厚度 |
---|---|---|---|
1 | 射频/组件 | 铜 | 0.5 盎司 |
1-2 | 电介质 | RO4350B | 0.254毫米 |
2 | 接地 | 铜 | 1 盎司 |
2-3 | 电介质 | FR4 | 0.360毫米 |
3 | 电源/信号 | 铜 | 0.5 盎司 |
3-4 | 电介质 | FR4 核心 | 0.710毫米 |
4 | 信号 | 铜 | 0.5 盎司 |
4-5 | 电介质 | FR4 | 0.360毫米 |
5 | 接地 | 铜 | 1 盎司 |
5-6 | 电介质 | RO4350B | 0.254毫米 |
6 | 射频/数字 | 铜 | 0.5 盎司 |
此配置提供:
- 受控阻抗射频层 (1,6)
- 连续接地参考
- 射频和数字之间的 EMI 屏蔽
- 使用选择性高性能材料优化成本
接地层管理策略
正确的接地层实现对于射频性能至关重要,会影响返回路径、隔离和 EMI。
连续接地层与分段接地层:
连续地面优势:
- 最低阻抗返回路径
- 最大的屏蔽效果
- 可预测的阻抗控制
- 简化的设计流程
需要分段时:
- 射频和数字域之间的隔离
- 噪声敏感模拟电路
- 不同的接地电位要求
地平面穿孔效果:
热通孔的穿孔或减轻重量会影响射频性能:
对于 20% 的穿孔,在 2 毫米网格上有 1 毫米孔:
- 有效εr增加3-5%
- 阻抗增加 2-3%
- 屏蔽效果降低 10-15 dB
设计规则:使穿孔远离射频走线>5×走线宽度。
信号完整性优化技术
高频过孔设计和优化
过孔代表射频电路中必要的不连续性,需要仔细设计以尽量减少对信号完整性的影响。
通过阻抗建模:
过孔可以建模为串联电感和分流电容:
L = 5.08h[ln(4h/d) + 1] nH C = 1.41εrD₁h/(D₂-D₁) pF
哪里:
- h = 过孔高度 (mm)
- d = 钻头直径 (mm)
- D₁ = 焊盘直径 (mm)
- D₂ = 防垫直径 (mm)
20 GHz 优化示例:
标准通孔(0.2 毫米钻头,1.6 毫米板):
- 升 = 1.2 nH
- C = 0.3 pF
- 谐振:8.4 GHz(20 GHz 时不可用)
优化过孔(0.2mm 钻头,反钻至 0.3mm):
- 升 = 0.3 nH
- C = 0.1 pF
- 谐振:29 GHz(20 GHz 可接受)
控制电磁耦合
电路之间不必要的耦合限制了系统性能,需要系统方法来实现足够的隔离。
串扰机制和缓解:
耦合通过多种机制发生:
电容耦合(电场):
- 与 dV/dt 成正比
- 在高阻抗下占主导地位
- 通过接地屏蔽层缓解
电感耦合(磁场):
- 与 dI/dt 成正比
- 在低阻抗下占主导地位
- 通过磁屏蔽或正交布线缓解
隔离技术比较:
技术 | 隔离改进 | 频率范围 | 实施成本 |
---|---|---|---|
3W 间距 | 10-15分贝 | 直流-10 GHz | 低 |
守卫痕迹 | 15-20分贝 | 直流-20 GHz | 中 |
通过击剑 | 20-30分贝 | 直流-40 GHz | 中 |
腔体屏蔽 | >40分贝 | 全部 | 高 |
射频应用中的差分信号
差分传输线为高频信号提供卓越的抗噪性和更低的 EMI。
边沿耦合差分对的设计注意事项:
100Ω差分阻抗的目标规格:
- 单端阻抗:每条走线55-60Ω
- 耦合系数:0.15-0.25(松耦合优选)
- 长度匹配:10 GHz 信号为 <0.1mm
- 间距变化:沿长度<10%
共模抑制:
实现 >40 dB 共模抑制需要:
- 具有匹配寄生效应的对称布线
- 平衡终端网络
- 需要的共模扼流圈
- 成对下的接地层连续性
射频系统的配电网络设计
脱钩策略实施
射频电路需要卓越的电源质量,噪声要求通常在整个工作带宽内<1mV RMS。
频率相关解耦网络:
正确设计的 PDN 使用适当的组件解决不同的频率范围:
DC 至 1 MHz:大容量存储
- 电容器:100μF-1000μF 电解/钽
- 位置:靠近电源入口
- 用途:负载瞬变的储能器
1 MHz 至 100 MHz:中频
- 电容器:0.1μF-10μF陶瓷
- 位置:全线分布
- 用途:本地储能
100 MHz 至 1 GHz:高频
- 电容器:10/100/0402 中的 0201nF-0201nF
- 位置:IC电源引脚2mm以内
- 用途:高频滤波
1 GHz 以上:超高频
- 解决方案:嵌入式电容或超低ESL
- 实现:电源/接地层对
- 目标阻抗:<0.1Ω
功率平面谐振管理
电源平面中的平行板谐振可以耦合整个电路板的噪声:
谐振频率计算:
fr = (c/2√εr) × √(m²/a² + n²/b²)
对于 εr=4.4 的 100mm × 80mm 板: 第一谐振 (m=1, n=0):fr = 357 MHz
缓解策略:
嵌入式电容:
- 平面之间的薄电介质 (<0.1mm)
- 电容达到 >1000pF/in²
- 将谐振推高到工作频率以上
有损材料:
- 有损基板上的电源平面
- 阻尼系数随频率增加
- 降低共振的 Q 因子
拼接分割:
- 将大平面划分为较小的部分
- 连接多个过孔和电容器
- 增加最低谐振频率
EMI 控制和法规遵从性
边缘辐射抑制技术
PCB 边缘充当插槽天线,辐射可能导致 EMI 故障的电磁能。
量化边缘辐射:
来自电路板边缘的辐射功率: P = (120π × I² × L²)/λ²
哪里:
- I = 边缘电流 (A)
- L = 边缘长度 (m)
- λ = 波长 (m)
对于 1 GHz 沿 100mm 边缘的 1mA: P = 13.2 μW (-18.8 dBm)
这比 FCC B 类限制高出 20 dB!
行之有效的缓解方法:
通过围栏实施:
- 间距:最大 λ/20(10 GHz 时为 1.5mm)
- 连接:所有接地层
- 与边缘的距离:1-2mm
- 有效性:降低 20-30 dB
20-H 规则应用:
- 功率层退缩:20×介电厚度
- 减少边缘场
- 有效性:降低 10-15 dB
- 1 GHz 以下最有效
过滤和隔离策略
战略滤波可防止电路部分之间的噪声传播:
电力线的 Pi 滤波器实现:
100 MHz截止的元件选择:
- 串联电感器:100nH(铁氧体磁珠)
- 并联电容器:100nF ||100pF
- 插入损耗:200 MHz以上>40 dB
- 直流电阻:<0.1Ω
共模滤波:
对于具有共模噪声的差分信号:
- 共模扼流圈:100 MHz时为90Ω
- 差分阻抗:<1Ω
- 共模抑制:>30 dB
- 带宽:DC 至 2 GHz(典型值)
毫米波的先进设计技术
管理毫米波频率下的不连续性
在毫米波频率下,微小的不连续性会导致显着的反射和模式转换。
弯曲优化策略:
直角弯曲会产生电容不连续性。缓解选项:
倒角弯曲(45°切割):
- 倒角尺寸:0.5 ×走线宽度
- 回波损耗改善:30 GHz 时 10 dB
- 实施简单
弯曲:
- 半径:>3 ×走线宽度
- 回波损耗:<-30 dB 至 40 GHz
- 关键路径的最佳选择
补偿弯曲:
- 添加电感补偿
- 需要自定义优化
- 可能的最佳性能
T 型结补偿:
未补偿的T型结在毫米波频率下表现出2-3 dB的过剩损耗。
补偿技巧:
- 连接处插入:0.1-0.15 ×走线宽度
- 降低寄生电容
- 将匹配提高 15-20 dB
基板集成波导技术
SIW 使用标准 PCB 工艺提供 20 GHz 以上的低损耗传输:
设计参数:
对于 0.508mm RO3003 上的 28 GHz SIW:
- 宽度:4.2mm(TE₁₀模式)
- 过孔直径:0.3mm
- 过孔间距:0.6mm
- 插入损耗:0.05 dB/cm
- 隔离度:>60 dB
相对于微带的优势:
- 60 GHz 时损耗降低 50%
- 卓越的隔离性
- 无辐射
- 兼容标准多层PCB工艺
仿真和验证最佳实践
电磁仿真要求
准确预测高频行为需要通过适当的模型设置进行 3D 电磁仿真。
网格密度指南:
按频率划分的最低网格要求:
- 1-5 GHz:λ/20 最大单元尺寸
- 5-20 GHz:λ/30 最大单元尺寸
- 20-40 GHz:λ/40 最大单元尺寸
40 GHz:自适应网格划分必不可少
端口定义最佳实践:
正确的端口设置可确保准确的 S 参数提取:
- 端口尺寸:5-10×走线宽度+间距
- 参考平面:解嵌到测量点
- 端口阻抗:匹配测量系统
- 边界条件:吸收或周期性(视情况而定)
测量相关策略
实现仿真和测量之间的相关性需要系统的方法:
测试结构设计:
验证的基本测试结构:
- 通线: 各种长度的损耗提取
- 开放/短标准: 反射系数验证
- 耦合线: 串扰验证
- 谐振器: Dk/Df 提取
- 阻抗标准: TDR 相关性
相关过程:
- 测量实际 Dk/Df 的板材
- 使用测量值更新模拟
- 包括表面粗糙度模型
- 考虑制造公差
- 跨频率范围进行验证
典型相关目标:
- S₁₁ 幅度:±1 dB
- S₂₁ 震级:±0.5 dB
- 相位:±5°
- 阻抗:±2Ω
制造和测试设计
制造约束集成
成功的射频 PCB 设计需要了解并适应制造限制:
关键制造参数:
参数 | 标准能力 | 高端能力 | 对射频设计的影响 |
---|---|---|---|
最小走线宽度 | 0.1 毫米(4 密耳) | 0.05 毫米(2 密耳) | 阻抗范围 |
最小过孔钻头 | 0.2 毫米(8 密耳) | 0.1 毫米(4 密耳) | 通过电感 |
注册 | ±0.075毫米 | ±0.025毫米 | 图层对齐 |
铜厚度 | ±10% | ±5% | 阻抗变化 |
蚀刻公差 | ±0.025毫米 | ±0.013毫米 | 频率响应 |
可测试性设计
在设计过程中加入测试功能可确保可制造性和性能验证:
射频测试点实施:
- 阻抗:匹配系统(典型值为 50Ω)
- 焊盘尺寸:与射频探头兼容
- 接地:信号 1 毫米以内
- 隔离度:与有源电路隔离 >40 dB
内置测试结构:
- 每层的 TDR 优惠券
- S参数测试车辆
- 隔离测试结构
- 过程监控电路
为什么选择HILPCB进行高频PCB设计
HILPCB 将深厚的射频工程专业知识与先进的制造能力相结合,提供卓越的高频 PCB 解决方案:
卓越设计:
- 全波 3D 电磁仿真功能
- 阻抗控制可达 ±3% 容差
- 射频性能的叠层优化
- 信号完整性和电源完整性分析
制造精度:
- PTFE/陶瓷材料的专用工艺
- 通过 100% 测试控制阻抗
- 先进的过孔技术,包括背钻
- IPC 3 级质量标准
全面支持:
- 设计审查和DFM优化
- 材料选择指导
- 从原型到生产扩展
- 完整的电气测试和验证