Стремительный рост искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений (HPC) заставляет разработчиков искать способы увеличения вычислительной плотности уже за пределами возможностей классического масштабирования по закону Мура. Поэтому ключевую роль в современных ускорителях начинает играть усовершенствованное корпусирование полупроводников. Одной из наиболее востребованных архитектур стала технология TSMC CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), позволяющая объединять высокопроизводительную системную логику SoC и память с высокой пропускной способностью HBM.
В основе такой конструкции находится прототип подложки CoWoS — элемент, который нельзя рассматривать как обычную печатную плату. По сути, это сверхплотная межсоединительная инфраструктура микронного масштаба, через которую проходят огромные массивы высокоскоростных сигналов, линии питания и токи, необходимые для выполнения триллионов операций. Ошибка в топологии, импедансе, тепловом расчете или технологии изготовления подложки способна ограничить характеристики всего AI-чипа независимо от возможностей самого кристалла.
С инженерной точки зрения успешная разработка прототипа подложки CoWoS требует одновременной проработки целостности сигналов (SI), целостности питания (PI), отвода тепла, выбора материалов, технологичности производства и подтверждения надежности. Для проектировщика AI-ускорителя, системного архитектора или разработчика аппаратной части понимание этих факторов критично еще до передачи проекта в производство. Не менее важно выбрать изготовителя, способного обеспечить требуемые микронные допуски не только на единичном образце, но и при дальнейшем масштабировании выпуска.
Что представляет собой прототип подложки CoWoS и зачем он нужен?
Подложка CoWoS занимает особое место в структуре AI-модуля и по сложности значительно превосходит традиционную печатную плату, включая типичную подложку для интегральных схем. Она представляет собой органический высокоплотный межсоединительный слой, расположенный между кремниевым интерпозером и конечной системной материнской платой.
У такой подложки две основные задачи:
- Перераспределение соединений: микроконтакты на кремниевом интерпозере имеют шаг микронного уровня, поэтому напрямую вывести их на обычную PCB невозможно. Несколько тонкопроводящих слоев перераспределения RDL внутри подложки постепенно увеличивают шаг соединений и выводят их к более крупному BGA, пригодному для сопряжения с внешней системой.
- Передача питания и механическая опора: подложка должна подавать стабильное питание с минимальным уровнем шумов на расположенные выше кристаллы SoC и HBM, одновременно обеспечивая механическую жесткость и снижая риск повреждения дорогостоящего кремния из-за механических и термомеханических напряжений.
Типичный прототип подложки CoWoS может изготавливаться с применением материалов с малыми потерями, например ABF (Ajinomoto Build-up Film), содержать десятки сигнальных и питающих слоев и использовать ширину проводника и зазор микронного диапазона. Если модуль предназначен для серверов, стабильность подложки CoWoS для дата-центров становится одним из определяющих факторов общей эксплуатационной надежности оборудования.
Как сохранить целостность сигналов при передаче триллионов бит данных?
В архитектуре CoWoS интерфейсы между HBM3/3e и SoC могут включать тысячи параллельных линий передачи данных, обеспечивая суммарную пропускную способность в несколько Tb/s. При таких скоростях даже малозаметная неоднородность геометрии проводника, перехода или диэлектрика способна ухудшить форму сигнала и привести к ошибкам передачи. Поэтому при разработке высокоскоростной подложки CoWoS задача обеспечения целостности сигналов (SI) рассматривается в числе первых.
Критически важны следующие параметры:
- Контроль импеданса: волновое сопротивление сигнальных трактов необходимо удерживать вблизи заданного значения, например 50 Ω, с очень небольшим допуском. Для этого на производстве требуется контролировать Dk материала, толщину диэлектрических слоев и меди, а также фактическую ширину проводников. Контроль импеданса подложки CoWoS непосредственно определяет качество высокоскоростной передачи: отклонение от расчетных значений усиливает отражения и уменьшает раскрытие глазковой диаграммы.
- Перекрестные помехи: при высокой плотности трассировки электромагнитная связь соседних проводников неизбежна. Для ее ограничения корректируют расстояния между линиями, предусматривают экранирование землей и грамотно распределяют сигнальные цепи по слоям.
- Вносимые потери: диэлектрические и проводниковые потери ослабляют сигнал по мере прохождения трассы. Поэтому предпочтительны материалы со сверхнизкими потерями, включая ABF. Дополнительно оптимизируют конструкцию переходных отверстий; например, удаление лишней части перехода обратным сверлением позволяет заметно улучшить характеристики на высоких частотах.
- Временное согласование и перекос: в параллельных интерфейсах типа HBM сигналы должны приходить к приемнику практически синхронно. Необходимо точно согласовывать длины трасс и учитывать различную скорость распространения сигнала на разных слоях.
При сопровождении проектов высокоскоростных печатных плат HilPCB PCB Factory (HILPCB) применяет совместное моделирование SI/PI. Такой подход позволяет увязать расчетные требования с реальными производственными допусками и контролировать характеристики тракта от проектирования до готового изделия.
Сравнение характеристик материалов для высокоскоростных подложек
| Параметр | Стандартный FR-4 | Материал со средними потерями | Материал со сверхнизкими потерями типа ABF |
|---|---|---|---|
| Диэлектрическая проницаемость (Dk @ 10GHz) | ~4.5 | ~3.8 | ~3.2 |
| Тангенс потерь (Df @ 10GHz) | ~0.020 | ~0.008 | <0.004 |
| Максимальная практическая частота | < 5 GHz | 5 - 15 GHz | > 25 GHz |
| Индекс стоимости | 1x | 2x - 4x | 5x - 10x+ |
Корректный выбор материала — отправная точка для создания производительной высокоскоростной подложки CoWoS.
Как спроектировать стабильную сеть питания для AI-кристалла мощностью в сотни ватт?
Современный AI-процессор способен потреблять сотни ватт, причем ток нагрузки меняется очень быстро и с большой амплитудой. Если сеть распределения питания PDN спроектирована неправильно, на кристалле возникает просадка напряжения из-за IR Drop. Результатом могут стать вычислительные ошибки, нестабильность либо полный отказ системы. Поэтому проектирование PDN — еще один базовый этап разработки прототипа подложки CoWoS.
Основные методы оптимизации PDN:
- Низкоимпедансные пути питания: внутри подложки предусматривают несколько выделенных плоскостей питания и земли, формируя широкие непрерывные контуры тока с минимальным импедансом. На наиболее нагруженных участках увеличение толщины меди снижает сопротивление постоянному току.
- Сеть развязывающих конденсаторов: номиналы и расположение конденсаторов рассчитываются так, чтобы перекрыть диапазон от низких до высоких частот. При резком изменении тока они работают как локальные накопители энергии, быстро компенсируя переходный процесс и стабилизируя напряжение.
- Совместное проектирование корпуса и подложки: нельзя оптимизировать PDN только внутри одного компонента конструкции. Необходимо совместно моделировать корпус микросхемы, несущую подложку и системную материнскую плату, снижая импеданс по всей цепи подачи питания.
- Защита сигнальных цепей от шумов питания: расположение сигнальных слоев и плоскостей питания должно исключать избыточную передачу шумов PDN в высокоскоростные сети. Это также необходимо для устойчивого контроля импеданса подложки CoWoS.
Какие ошибки наиболее опасны при выборе материалов и структуры слоев?
Структура слоев CoWoS определяет сразу три группы характеристик: электрические параметры, тепловой режим и механическую стабильность. Даже небольшая ошибка на этом этапе может привести к браку всей серии прототипов.
Особого внимания требуют следующие аспекты:
- Симметрия: чтобы ограничить коробление при изготовлении и последующей сборке, структура должна оставаться строго симметричной по толщине диэлектрика, толщине меди и распределению металлизации. Коробление непосредственно влияет на выход годных при сборке подложки CoWoS.
- RDL и технология микропереходов: тонкие слои перераспределения обычно формируют с применением SAP или mSAP, что позволяет получать элементы микронного размера. Соединение между слоями выполняют лазерными Microvia. Надежность таких переходов, особенно в структурах с переходами, установленными друг над другом, является одним из основных критериев надежности подложки CoWoS.
- Подбор материалов: предпочтение отдается ABF и другим современным материалам с низкими CTE, Dk и Df. Коэффициент теплового расширения должен быть согласован с кремнием, чтобы уменьшить напряжения, возникающие из-за различий в тепловом расширении, и обеспечить длительный срок службы изделия.
- Непрерывность опорных плоскостей: каждой высокоскоростной линии требуется непрерывная опорная плоскость земли или питания. Разрыв или щель в ней вызывает скачок импеданса и дополнительные отражения сигнала.
Производственные возможности HILPCB в области HDI-плат и подложек для интегральных схем позволяют реализовывать сложные структуры слоев и высокоточные микропереходы, создавая технологическую базу для изготовления прототипов CoWoS.
🔬 Передовое корпусирование HILPCB: ключевые возможности для прототипирования подложек CoWoS
15 / 15 μm
для сверхплотных межсоединений HPC
50 μm
для современных вертикальных соединений HDI
± 5%
для сигнальной среды HBM3/PCIe 6.0
< 50 μm
повышает выход годных при установке крупных кристаллов Die Bonding
20+ слоев
и эффективной подачи питания в многокристальные модули
ABF-like / LCP
и последовательному переходу от прототипа к серийному производству
Инженерное замечание: при изготовлении подложек CoWoS минимальный размер элементов RDL непосредственно влияет на доступную полосу обмена данными между логическим кристаллом и HBM. Используя методы технологического контроля, близкие к полупроводниковому производству, HILPCB обеспечивает ширину линий RDL 15μm и одновременно поддерживает низкое коробление, что позволяет уменьшить последствия термомеханического рассогласования в корпусах 2.5D/3D.
Как эффективно отводить огромное количество тепла от AI-кристалла?
Для AI-ускорителя охлаждение напрямую связано с производительностью и сроком службы. При мощности 700W или даже 1000W плотность теплового потока может быть чрезвычайно высокой. Если тепло не отвести достаточно быстро, процессор начнет снижать рабочую частоту из-за перегрева либо получит необратимое повреждение. В общей тепловой цепочке подложка CoWoS выполняет роль важного промежуточного звена между кремнием и остальной системой охлаждения.
На практике применяют несколько основных подходов:
- Совместное тепловое моделирование: еще на этапе проектирования выполняют системный расчет, охватывающий кристалл, интерпозер, несущую подложку, теплораспределительную крышку или радиатор и TIM. Это позволяет заранее определить зоны локального перегрева и распределение температуры.
- Оптимизация теплопроводящих путей внутри подложки: плотные Thermal Vias и более толстые медные плоскости формируют вертикальные и горизонтальные каналы теплопередачи, позволяя быстрее отводить энергию к нижней стороне подложки.
- Современные охлаждающие материалы: применение Vapor Chamber либо TIM с более высокой теплопроводностью заметно улучшает отвод тепла. При выборе материалов необходимо учитывать и собственную теплопроводность диэлектрика подложки.
- Проектирование с учетом дата-центра: при разработке подложки CoWoS для дата-центров необходимо учитывать воздушные потоки внутри серверной стойки и параметры жидкостного охлаждения, чтобы конструкция подложки соответствовала тепловой архитектуре всей системы.
От проекта к производству: как преодолеть разрыв между расчетом и DFM?
Даже идеальная по результатам моделирования конструкция прототипа подложки CoWoS не имеет практической ценности, если ее невозможно стабильно и экономически оправданно изготовить. Именно поэтому проектирование с учетом технологичности, или DFM, должно начинаться не после завершения трассировки, а значительно раньше.
К основным факторам DFM относятся:
- Соответствие реальным возможностям процесса: разработчик должен знать ограничения выбранного производства — минимальную ширину проводника и зазор, минимальный диаметр сверления, точность совмещения при ламинировании и другие параметры. Проектировать необходимо с достаточным технологическим запасом.
- Мультиплицирование на производственной панели: несколько подложек размещаются на общей панели, что повышает эффективность производства. Правильная компоновка улучшает коэффициент использования материала и помогает распределять механические напряжения, уменьшая коробление.
- Проектирование точек контроля: необходимо заранее предусмотреть достаточное количество тестовых площадок для электрической проверки, например методом летающих щупов, и подтверждения целостности всех электрических цепей.
- Раннее взаимодействие с производителем: привлечение HILPCB к анализу проекта до его окончательного выпуска и соблюдение требований DFM позволяют избежать дорогостоящей переработки на поздней стадии. HILPCB выполняет бесплатную DFM-проверку, помогая обнаружить и устранить потенциальные производственные риски до запуска заказа.
🛡️ Полный цикл HILPCB для изготовления прототипов подложки CoWoS
Комплексный многофизический анализ SI/PI/теплового режима. Формирование структуры слоев подложки с одновременной оптимизацией высокоскоростных сигнальных трасс и путей распределения тепла.
Файлы проекта передаются специалистам HILPCB для предварительной проверки. Анализируются и оптимизируются компенсация травления элементов 15μm, напряжения при ламинировании ABF и общая технологичность конструкции.
Применяется модифицированный полуаддитивный процесс mSAP. Вакуумное ламинирование и прецизионное импульсное гальваническое осаждение обеспечивают надежное заполнение и соединение Micro-via с высоким отношением глубины к диаметру.
Комплексный контроль включает AOI, 3D-Xray и 100% проверку коробления. Каждый прототип проверяется на соответствие допускам импеданса, после чего заказчику предоставляется полный отчет о верификации.
«Замкнутый цикл из четырех этапов обеспечивает точное воплощение расчетного проекта в физическом прототипе».
Как подтвердить длительную надежность подложки в жестких условиях эксплуатации?
AI-ускоритель может эксплуатироваться в течение многих лет, проходя огромное количество циклов включения и выключения и длительно работая при повышенной температуре. Поэтому надежность подложки CoWoS должна подтверждаться не только первоначальной электрической проверкой, но и испытаниями, моделирующими длительную эксплуатацию.
Проверка надежности обычно проводится с учетом отраслевых стандартов IPC и JEDEC и включает жесткие испытания окружающей средой:
- Температурное циклирование (TCT): многократные переходы между экстремальными температурами, например от -40°C до 125°C, позволяют оценить влияние различий теплового расширения на микропереходы и паяные соединения. Испытание выявляет риск трещин Microvia и разрушения паяных контактов.
- Высокоускоренное стрессовое испытание (HAST): материал подвергается воздействию высокой температуры, влажности и давления, благодаря чему ускоряется процесс старения и оцениваются влагостойкость и долговременная химическая стабильность.
- Механический удар и вибрация: испытания воспроизводят нагрузки, возможные при транспортировке и эксплуатации, и позволяют проверить прочность конструкции и механическую надежность паяных соединений.
Такие испытания помогают обнаружить слабые места не только в конструкции, но и непосредственно в производственном процессе, после чего параметры могут быть скорректированы до достижения требуемого уровня долговременной стабильности.
Сборка подложки CoWoS: последний критический этап
После изготовления самой подложки начинается сборка подложки CoWoS с кремниевыми компонентами. Именно на этом этапе отдельные элементы превращаются в работоспособный вычислительный модуль. По точности оборудования и требованиям к контролю процесса это одна из наиболее сложных операций во всей технологической цепочке.
Основные этапы и связанные с ними риски:
- Установка шариков BGA: на нижней стороне подложки необходимо точно сформировать тысячи паяных шариков для соединения с системной материнской платой. Высота шариков и их копланарность должны выдерживаться в жестких пределах.
- Монтаж интерпозера и кристаллов: кремниевый интерпозер, SoC и HBM устанавливаются на подложку высокоточным оборудованием Flip-Chip. Требуемая точность совмещения находится на микронном уровне.
- Оплавление: пайка проводится по строго контролируемому температурному профилю. Неправильно подобранный режим способен вызвать дефекты соединений либо тепловое повреждение кремния. Именно во время оплавления особенно сильно проявляется влияние коробления подложки.
- Заполнение компаундом: пространство между кристаллом и подложкой заполняется эпоксидным Underfill, после чего материал отверждается. Он перераспределяет термомеханические напряжения, защищает микроразмерные соединения и существенно повышает надежность модуля.
- Финальное тестирование и инспекция: внутренние соединения проверяются рентгеновскими методами, после чего проводятся функциональные испытания для подтверждения электрических характеристик.
Помимо изготовления сложных подложек, HILPCB через партнерскую производственную сеть предоставляет комплексные услуги SMT-монтажа и сборки прототипов. Такой подход позволяет организовать поставку от голой платы до готового модуля SiP (System-in-Package), одновременно сокращая число участников цепочки поставок и упрощая управление проектом.
Заключение: для CoWoS важны не отдельные процессы, а их инженерная согласованность
Успешный прототип подложки CoWoS — результат системного проектирования, где нельзя отдельно оптимизировать только сигналы, питание или тепловой режим. Целостность сигналов SI, целостность питания PI, температурный баланс, свойства материалов, микронная геометрия и возможности производства должны рассматриваться как взаимосвязанная система. От первой версии структуры слоев до полностью собранного функционального модуля каждый этап требует высокой точности, а одна слабая технологическая операция способна задержать или полностью сорвать программу разработки.
Для рынка AI-ускорителей, где сроки обновления аппаратных платформ постоянно сокращаются, особенно важен производственный партнер, способный быстро подключаться к инженерному анализу и поддерживать проект от прототипа до дальнейшего масштабирования. HILPCB сочетает опыт изготовления IC-подложек и высокоплотных межсоединений с технологиями точного производства и комплексным контролем качества. Такой подход помогает разработчикам перенести перспективную архитектуру AI-модуля из расчетной модели в реальное изделие без потери заложенных электрических, тепловых и механических характеристик.
Если вашему проекту требуется прототип подложки CoWoS для высокоскоростного соединения AI-процессора, HBM и системной платы, свяжитесь с HILPCB. Инженерная команда поможет оценить технологичность конструкции, подобрать производственную структуру и подготовить проект к изготовлению и последующей сборке нового поколения AI-модулей.

