Rogers射频/微波PCB制造 | RO4350B、RO4003C、RT/duroid | 低损耗与混合叠层
采用Rogers材料的高频PCB，具有低损耗（10 GHz时Df <0.004——小于0.004）、稳定的Dk、阻抗控制±5%（正负5%）、VNA S参数测试，以及Rogers + FR-4混合叠层以实现成本/性能平衡。
为何选择Rogers材料实现高频性能？
低损耗、稳定的Dk值、可预测的相位——专为RF/微波设计与标准FR-4 PCB相比，Rogers层压板提供超低介电损耗（Df在10 GHz时典型值为0.0009–0.004——0.0009至0.004）和稳定的介电常数（Dk变化在±2%以内——正负100分之2），在RF和微波频段保持插入/回波损耗及相位精度。针对5–40+ GHz（5至40吉赫兹及以上）频率，Rogers材料如RO4350B、RO4835和RT/duroid系列可维持可预测的线路几何形状与阻抗一致性，这对雷达和卫星通信系统至关重要。
我们的工艺流程——PTFE复合材料的等离子体活化、低轮廓铜的表面粗糙度控制（Ra ≤1.5 μm——小于或等于1.5微米）以及精密层压压力曲线——支持混合堆叠设计，将Rogers材料置于RF能量传输层，同时内部平面使用多层FR-4芯板以降低30–50%（30至50百分比）材料成本。详见我们的Rogers PCB指南和堆叠设计说明获取详细层规划方法。
关键风险：PTFE粘附不良、粘结膜错位或层压温度梯度过度可能导致制造过程中出现空隙、层偏移或Dk漂移。这些效应会增加反射损耗和相位误差，尤其在10 GHz（10吉赫兹）以上频段。
我们的解决方案：我们实施层压工艺控制，通过等离子预清洗、差压层压和原位温度传感器确保粘结线均匀性。信号完整性设计仿真与基于TDR的阻抗验证将仿真数据与实测数据关联以进行生产调校。选择性使用PTFE的混合构建平衡了RF性能、成本与可制造性。
对于极端RF/毫米波系统——雷达、5G前端和航空航天通信——Rogers电路板与我们的高频PCB及陶瓷PCB产品线无缝配合，将热稳定性和电气稳定性扩展至24–110 GHz（24至110吉赫兹）范围。
- 支持RO4000®、RO3000®和RT/duroid®系列
- 在10 GHz时插入损耗目标低于约0.5 dB/英寸（取决于设计）
- 背钻至<10 mil（小于10密耳）以消除残桩
- 阻抗测试条与场求解器结果相关联
- 通过Rogers材料优化RF关键层的混合成本
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专业射频/微波制造控制
PTFE处理、薄铜箔、分阶段层压PTFE和陶瓷填充层压板需要定制化控制：等离子蚀刻用于孔壁活化（附着力通常>1.0 N/mm——大于每毫米1.0牛顿）、分阶段压力/温度曲线（例如175–185°C（175至185摄氏度）），以及控深钻孔用于发射过渡。UV激光微孔（75–100 μm——75至100微米）和背钻可消除25+ Gbps（每秒25千兆比特及以上）通道的谐振残桩。
质量验证包括TDR阻抗测试（±5%——正负5%）和基于样本的VNA S参数（S11/S21），通常高达40 GHz（40吉赫兹）。显微切片确认≥20 μm（大于或等于20微米）孔壁铜厚；离子污染控制在≤1.56 μg/cm²（小于或等于1.56微克/平方厘米）。参见高频PCB测试和阻抗测试。
- 薄/超薄铜箔可降低导体损耗≈10–25%（约10至25百分比）
- 背钻和发射优化以减少反射
- 每块面板附带TDR验证样板（如指定）
- 射频原型的VNA S参数测试
- 符合IPC-6018工作流程的文档记录
Rogers PCB技术规格
适用于RF、微波及毫米波设计的能力
| 参数 | 标准能力 | 高级能力 | 标准 |
|---|---|---|---|
层数 | 1–28层（1至28层） | 最高50层（最高50层）；混合叠层 | 微波与高频印制板性能规范（IPC-6018） |
基材类型 | RO4003C™、RO4350B™、RT/duroid® 5880 | RO3003™、RO3010™、Taconic、Isola；可与FR-4混合 | 高频基材规范（IPC-4103） |
介电常数（Dk） | ≈2.2–10.2 | 严格公差Dk材料 | 材料数据表 |
介质损耗角正切（Df） | <0.004 @ 10 GHz（10吉赫兹） | 超低损耗 <0.002 | 材料数据表 |
板厚 | 0.20–3.20毫米（0.20至3.20毫米） | 0.10–6.00毫米（0.10至6.00毫米），±5%（正负5%）公差 | 印制板可接受性标准（IPC-A-600） |
铜厚 | 0.5–2盎司（17–70 μm；每平方英尺0.5至2盎司；17至70微米） | 最高4盎司（最高4盎司）；可选VLP铜 | 铜箔规范（IPC-4562） |
最小线宽/间距 | 75/75 μm（3/3 mil；75乘75微米） | 50/50 μm（2/2 mil；50乘50微米） | 印制板设计通用要求（IPC-2221） |
最小孔径 | 0.20毫米（8 mil） | 0.10毫米（4 mil）+ 背钻 | 刚性印制板详细设计标准（IPC-2222） |
阻抗控制 | ±10%（正负10%） | ±5%（正负5%）或更严格 | 传输线阻抗计算标准（IPC-2141） |
表面处理 | ENIG、化学沉银、OSP | ENEPIG、软金/硬金 | 表面镀层标准（IPC-4552/4553） |
质量检测 | 100%电测、TDR阻抗测试 | VNA S参数测试、离子污染检测 | 印制板电气测试标准（IPC-9252） |
认证项目 | ISO 9001、UL、IPC Class 2 | AS9100、MIL-PRF-31032、IPC Class 3 | 行业标准 |
交付周期 | 7–15天（7至15天） | 可提供加急服务 | 生产计划 |
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选择合适的Rogers材料
RO4350B™（介电常数约3.48；10 GHz时损耗因子约0.0037）在约30 GHz（30吉赫兹）范围内平衡成本与性能。
RT/duroid® 5880（介电常数约2.20；损耗因子约0.0009）可实现毫米波级的超低损耗。
RO3003™/RO3010™提供温度范围内稳定的介电常数。对于混合信号系统，采用混合堆叠——射频层使用Rogers，电源/数字层使用FR-4——通常可节省30–50%（30至50百分比）成本。详见微波损耗预算。
高级射频质量保证
除AOI/电测试外，基于样本的VNA可表征高达约40 GHz（40吉赫兹）的S参数（S11/S21）；TDR验证特性阻抗在±5%（正负5%）范围内。显微切片确认过孔镀层厚度（≥20 μm）与对位精度（典型±50 μm）。离子污染目标≤1.56 μg/cm²。更多内容见高频PCB测试方法。
工程保证与认证
经验： 射频构建包含测试片-求解器关联与混合堆叠优化。
专长： PTFE加工、低轮廓铜箔、深度控制钻孔及背钻。
权威性： 工作流程符合IPC-6018；支持AS9100项目文档。
可信度： MES追溯系统关联材料批次与测试数据；报告可按需提供。
- 控制项：等离子活化、层压窗口、铜轮廓
- 追溯性：批次ID、流程单、测试片/VNA报告
- 验证项：TDR、VNA、显微切片、离子测试
常见问题
何时应选择Rogers而非FR-4材料？
混合Rogers+FR-4叠层结构有何优势？
是否提供S参数测量数据？
如何控制高频下的过孔残桩效应？
射频焊盘推荐使用哪种表面处理？
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